第181章  177全新內存技術和芯片疊加

        “我剛剛送她們去機場回來，待會我的鏈接發給你吧。”小王同志說完便掛斷電話。

        【狂莽人生：走了也不告訴我？】

        等了三分鐘對方并沒有回任何的信息。

        “滴滴滴~”

        正當曹莽準備回休息室換衣服的時候卻收到另外一個人的信息。

        對方讓他在工業園等著。

        今晚對方想試試靠在落地玻璃窗上做那種事的感覺。

        看到這條信息曹莽無奈搖搖頭。

        看來對方人菜癮大啊。

        曹莽換衣服前給李宇靖發了條信息讓他去找代工廠的麻煩。

        既然大家都已經簽合約了。

        泄露信息該賠償的還是要賠償的。

        華夏安卓聯盟聊天群。

        雷布斯：“關于網上曝光的深藍新機型大家有什么看法？”

        沈韋：“從設計上來看確實很像深藍的設計，但是覺得事情沒有那么簡單。”

        陳勇明：“這事還是等深藍發話吧，我也覺得這件事沒那么簡單。”

        兩人都覺得曹莽應該是藏了一手后手在什么地方。

        如果深藍的新機就這樣的話。

        曹莽根本沒必要對外說領先二十年以上。

        曹莽這邊從休息室回到前廳辦公室后發了一條微博。

        “關于網上轉發的那個手機確實是深藍科技即將發布的手機。

        對于新機發布前會被盜的事情我這邊早就預料到了。

        畢竟有錢能使鬼推磨。

        所以我就小小地留了一手，把關鍵性的東西給隱藏了。

        至于新款的深藍手機會是怎么樣的。

        等到發布會那天大家就知道了。

        我相信深藍1號的新產品一定會讓大家滿意的。”

        曹莽發完微博后查看一下系統面板。

        【宿主：曹莽】

        【聲望值：六點七億（以億作為整數四舍五入）】

        這次的深藍手機泄露對于曹莽來說是個好事情，因為這一次泄露讓他獲得不少的聲望。

        這件事可不但引起國內的網友關注，還引起國外無數關心深藍的網友們關注。

        這讓曹莽又獲得將近三個億的聲望。

        曹莽在系統商城上購買了兩種三種產品。

        第一種產品就是HMBSR內存技術，HMBSR是HBM內存技術的進化版。

        HBM(High  Bandwidth  Memory)作為一種GPU顯存存在時，現在似乎已經不算罕見了。

        很多人可能都知道HBM成本高昂，所以即便不罕見，也只能在高端產品上見到它。

        HBM的特點之一，也是以相比DDR/GDDR更小的尺寸、更高的效率(部分)實現更高的傳輸帶寬。

        從傳輸位寬的角度來看，每層DRAM  die是2個128bit通道，4層DRAM  die高度的HBM內存總共就是1024bit位寬。

        很多GPU、CPU周圍都有4片這樣的HBM內存，則總共位寬就是4096bit。

        由此可見HBM在帶寬上具有著超高的吞吐量。

        這樣內存要是用在手機上一定會給客戶帶來更好的效率。

        只是為什么沒有人把它用在手機上？

        那是不是因為貴，所以才沒有下放到消費級市場呢?

        就算HBM內存再貴也不可能貴到哪里去，幾百塊的成本消費者都是承受得起的。

        消費者：我們是缺那幾百塊的人嗎？

        實際上并不是的。

        這其中有三個問題在里面。

        第一個就是成本問題，雖然這個是小問題，但是廠家們不得不重視這個問題。

        第二個問題技術手機cpu根本用不到這么高帶寬的內存。

        第三個問題就是HBM內存的延遲實在是太高了。

        就因為這三個因素廠家們不得不放棄HBM內存。

        曹莽所購買的HMBSR內存采用全新的設計，解決了HBM內存當前所有的問題。

        更低廉的制造成本，更低的讀取寫入延遲。

        曹莽購買的第二件產品就是kos存儲內存技術。

        目前市面上采用的都是emmc和usf這兩種內存。

        eMMC目前是最當紅的便攜移動產品解決方案，目的在于簡化終端產品存儲器的設計。

        由于NAND  Flash芯片的不同廠牌包括三星、東芝或海力士、鎂光等，但設計廠商在導入時，都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計，過去并沒有1個技術能夠通用所有廠牌的NAND  Flash芯片。

        這樣內存唯一的優勢就是便宜，它的缺點就是讀寫效率比較低。

        這種內存目前為止最高讀取效率為400mb/s，寫入效率是70mb/s。（特指2015年。）

        usf內存是2011年電子設備工程聯合委員會，發布了第一代通用閃存存儲標準，即UFS  2.0的前身。

        不過第一代的UFS并不受歡迎，也沒有對eMMC標準產生明顯的影響。

        到了2013年，JEDEC在當年9月發布了UFS  2.0的新一代閃存存儲標準。

        UFS  2.0閃存讀寫速度理論上可以達到1400MB/s，不僅比eMMC有更巨大的優勢，而且它甚至能夠讓電腦上使用的SSD也相形見絀。

        于是后來逐漸在高端設備市場上取代eMMC，成為移動設備的主流標配。

        而實際上，UFS  2.0共有兩個版本，其中一個是HS-G2，也就是目前的UFS  2.0。

        然而，另個一個版本則為HS-G3，可以稱為UFS  2.1，其數據讀取速度將飆至1.5G/s，也就是UFS  2.0的兩倍。

        kos存儲內存最好的讀寫效率可以達到30G/s，而且它還擁有更高的壽命和容量。

        （效率視設計而定，曹莽購買的是第一代kos內存技術，第一代技術讀寫效率5.0g/s）

        曹莽購買的最后一項技術就是芯片疊加技術。

        這一項技術其實并不是什么先進的技術。

        并不是只有華威一家研究過這一項技術，早在五六年前英特爾和amd就擁有這項技術了。

        只是這兩家通過疊加生產出來的cpu由于功耗過高不得不放棄這一種技術。

        曹莽所購買的芯片疊加技術能夠解決功耗過高的問題嗎？

        可能說能也可以說不能。

        因為能量恒守是不可改變的事情，兩顆芯片疊加它的功耗注定會增加。

        曹莽所購買的技術只是降低了一部分芯片疊加后的功耗而已。

        這技術降低了大概48%左右的功耗。

        有了這項技術14納米擊敗7納米不是什么大問題。

        唯一的缺點就是功耗。

        對于這個問題曹莽的解決方法就是堆電池。

        大幅度增加電池的容量。

        對比研發光刻機增加電池容量簡單許多。

        這也是解決芯片封禁最簡單最快速的處理方法。

        而且也是成本最低的解決方法。


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